-
Английский
-
Русский
-
Английский
-
Русский
Bandgap
UK
/ˈbændɡæp/
US
/ˈbændɡæp/
Перевод bandgap на русский язык
bandgap
Существительное
UK
/ˈbændɡæp/
US
/ˈbændɡæp/
The bandgap of silicon is about 1.1 eV.
Запрещённая зона кремния составляет около 1,1 эВ.
Опеределения
bandgap
Существительное
UK
/ˈbændɡæp/
US
/ˈbændɡæp/
The energy difference between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in a semiconductor, insulator, or similar material, where no electron states can exist.
The bandgap of silicon is about 1.1 eV, which makes it suitable for use in solar cells.
Идиомы и фразы
energy bandgap
The energy bandgap is crucial in determining the electrical properties of a material.
энергетическая запрещённая зона
Энергетическая запрещённая зона имеет решающее значение для определения электрических свойств материала.
bandgap energy
Silicon has a bandgap energy of about 1.1 electron volts.
энергия запрещённой зоны
Кремний имеет энергию запрещённой зоны около 1.1 электронвольт.
bandgap engineering
Bandgap engineering allows for the design of materials with specific electronic properties.
инженерия запрещённой зоны
Инженерия запрещённой зоны позволяет разрабатывать материалы с определёнными электронными свойствами.
bandgap narrowing
Bandgap narrowing can occur due to high doping levels in semiconductors.
сужение запрещённой зоны
Сужение запрещённой зоны может происходить из-за высокого уровня легирования в полупроводниках.
direct bandgap
Gallium arsenide is a semiconductor with a direct bandgap.
прямая запрещённая зона
Арсенид галлия является полупроводником с прямой запрещённой зоной.
Примеры
The database "Bandgap" covers values of width of forbidden zone of the major classes of inorganic substances.
В базе данных "Bandgap" хранится информация о ширине запрещенной зоны основных классов неорганических веществ.
Interestingly, in tubes with a narrow bandgap (about 20 electron volts), the reverse conductivity decreased with the addition of new electrons, and in tubes, with a wide bandgap (about 150 electron volts) increased.
Интересно, что в трубках с узкой запрещенной зоной (порядка 20 электронвольт) обратная проводимость падала при добавлении новых электронов, а в трубках с широкой запрещенной зоной (порядка 150 электронвольт) — росла.
The bandgap of the semiconductor governs whether the switching distance between the “1” and the “0” state of the nanotransistor is sufficiently large in reality—and the bandgap can be set nearly on demand with the help of the new technique.
Зазоре полупроводника определяет, является ли расстояние переключения между «1» и «0» состоянием нанотранзистора в действительности достаточно большим – и полосу пропускания можно настроить почти по требованию с помощью новой техники.
Perovskites that are direct-bandgap semiconductors could be real alternatives to other types of direct-bandgap materials for applications like color displays, since they are cheap and easy to make and can be easily tuned to emit light of a variety of colours.
Перовскиты, являющиеся полупроводниками с прямой запрещенной зоной, могут стать реальной альтернативой другим типам материалов с прямой запрещенной зоной для таких применений, как цветные дисплеи, поскольку они дешевы и просты в изготовлении, а также могут быть легко настроены для излучения света различных цветов.
MODFETs, also known as high electron mobility transistors (HEMT, HFET), use the properties of the two-dimensional electron gas that forms in some heterostructures on the boundary of the narrow-bandgap and wide-bandgap layers of a heteropair.
В ГСЛ-транзисторах, называемых также транзисторами с высокой подвижностью электронов — ВПЭТ (HEMT, HFET), используются свойства двумерного электронного газа, образующегося в некоторых гетероструктурах на границе узкозонного и широкозонного слоев гетеропары.