-
English
-
Russian
-
English
-
Russian
Magnetoresistive
UK
/mæɡ.nɪ.təʊ.rɪˈzɪs.tɪv/
US
/mæɡ.nɪ.təˈrɪ.zɪs.tɪv/
Translation magnetoresistive into russian
magnetoresistive
Adjective
UK
/mæɡ.nɪ.təʊ.rɪˈzɪs.tɪv/
US
/mæɡ.nɪ.təˈrɪ.zɪs.tɪv/
The magnetoresistive sensor is used in hard drives.
Магниторезистивный датчик используется в жестких дисках.
Definitions
magnetoresistive
Adjective
UK
/mæɡ.nɪ.təʊ.rɪˈzɪs.tɪv/
US
/mæɡ.nɪ.təˈrɪ.zɪs.tɪv/
Relating to or exhibiting a change in electrical resistance in response to an applied magnetic field.
The magnetoresistive sensor was crucial for the development of the new hard drive technology.
Idioms and phrases
magnetoresistive sensor
The magnetoresistive sensor detects changes in magnetic fields.
магниторезистивный датчик
Магниторезистивный датчик обнаруживает изменения магнитных полей.
magnetoresistive effect
The magnetoresistive effect is used in hard disk drives.
магниторезистивный эффект
Магниторезистивный эффект используется в жёстких дисках.
magnetoresistive head
A magnetoresistive head improved the storage capacity of drives.
магниторезистивная головка
Магниторезистивная головка повысила ёмкость накопителей.
magnetoresistive device
The development of the magnetoresistive device was a major breakthrough.
магниторезистивное устройство
Разработка магниторезистивного устройства стала значительным прорывом.
magnetoresistive memory
Magnetoresistive memory is known for its non-volatility.
магниторезистивная память
Магниторезистивная память известна своей энергонезависимостью.
Examples
Other emerging technologies include RRAM (resistive RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) and Memristor.
К развивающимся технологиям относятся также RRAM (resistive RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) и мемристоры.
In the future, it turns out to create a cell on a nanometer scale, and the prototype measures about one millimeter, there is hope to see a magnetoresistive memory much simpler in structure than the modern ReRAM with complex magnetoresistive tunnel junctions.
В перспективе, если получится создать ячейку нанометрового масштаба, а прототип имеет размеры около одного миллиметра, есть надежда увидеть магниторезистивную память гораздо более простую по строению, чем современная ReRAM со сложными магниторезистивными туннельными переходами.
In his 2005 paper, Professor of Physics Johan Åkerman touted magnetoresistive random access memory (MRAM) as a promising candidate for a "universal memory" that could replace the various types of memory commonly found alongside each other in modern electronic devices.
Еще в 2005 году профессор физики Йохан Окермен (Johan Akerman) пророчил, что магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) является одним из главных кандидатов на роль "универсальной памяти", которая станет заменой различным типам памяти, которые можно обнаружить рядом друг с другом в схемах современных электронных устройств.
The sensor element for measuring the magnetic properties in its surroundings may be designed such that it has the “anisotripic” magnetoresistive effect (AMR effect) or the “giant” magnetoresistive effect (GMR effect).
Чувствительный элемент для измерения магнитных свойств в своей окружающей среде может, в частности, выполняться таким образом, что он имеет «анизотропный» магниторезистивный эффект (AMR-эффект) или «гигантский» магниторезистивный эффект (GMR-эффект).
MRAM stands for magnetoresistive Random Access Memory.
MRAM расшифровывается как Magnetoresistive Random Access Memory.