-
English
-
Russian
-
English
-
Russian
Nand
UK
/nænd/
US
/nænd/
Translation nand into russian
NAND
Noun
The NAND gate is a fundamental building block in digital electronics.
Логический элемент НАНД является основным строительным блоком в цифровой электронике.
Definitions
NAND
Noun
A type of digital logic gate that produces an output which is false only if all its inputs are true; a combination of NOT and AND gates.
The circuit design included a NAND gate to ensure the output was correct only when not all inputs were true.
A type of non-volatile storage technology used in flash memory, where data is stored in an array of memory cells made from floating-gate transistors.
The smartphone's storage capacity was increased by using NAND flash memory.
Idioms and phrases
nand gate
The circuit uses a NAND gate to perform basic Boolean operations.
логический элемент НЕ-И
В схеме используется логический элемент НЕ-И для выполнения базовых булевых операций.
nand memory
Modern smartphones usually employ NAND memory for data storage.
NAND-память
В современных смартфонах обычно используется NAND-память для хранения данных.
nand flash
NAND flash is widely used in USB drives and SSDs.
NAND-флэш-память
NAND-флэш-память широко используется в USB-накопителях и SSD.
nand operation
A NAND operation outputs false only if both inputs are true.
операция НЕ-И
Операция НЕ-И выдаёт ложь, только если оба входа истинны.
nand logic
NAND logic can be used to construct any other logic gate.
логика НЕ-И
Логика НЕ-И может быть использована для построения любых других логических элементов.
Examples
While TLC NAND first started shipping some years ago, the problems with TLC’s introduction on planar NAND (exemplified by drives like the Samsung 840 EVO), meant that TLC didn’t really come into its own until the introduction of 3D NAND and the use of older process nodes to build the drives (40nm 3D NAND, compared with 20nm planar NAND).
В то время как TLC NAND впервые начала поставляться несколько лет назад, проблемы с введением TLC на плоском NAND (примером которого являются диски, такие как Samsung 840 EVO), означали, что TLC действительно не вступил в свои права до внедрения 3D-NAND и использования более старые узлы процесса для сборки дисков (40 нм 3D NAND, по сравнению с 20 нм планарной NAND).
After the first decade of the 1900s several people had discovered that actually the single operation that we now call NAND is enough, with for example p OR q being computed as (p NAND p) NAND (q NAND q).
После первого десятилетия XX века несколько людей обнаружили, что достаточно будет единственной операции, которую мы теперь называем NAND, и, к примеру, p OR q можно вычислить, как (p NAND p) NAND (q NAND q).
Although the operating principle is similar in both cases to conventional MLC and TLC NAND, due to the use of mature technical processes its endurance is higher, and therefore, SSDs based on MLC V-NAND and TLC V-NAND are slightly better in terms of reliability than SSDs with standard MLC and TLC NAND.
Хотя принцип действия в обоих случаях схож с обычной MLC и TLC NAND, за счёт использования зрелых техпроцессов её выносливость выше, а значит, SSD на базе MLC V-NAND и TLC V-NAND несколько лучше по надёжности, чем SSD с обычной MLC и TLC NAND.
Samsung’s 32-layer 3D V-NAND – also referred to as Vertical NAND– requires a higher level of design technology to stack the cell arrays than the previous 24-layer V-NAND, yet delivers much greater production efficiency because Samsung can use essentially the same equipment it used for production of the first generation V-NAND.
32-слойная память 3D V-NAND компании Samsung (также называется Vertical NAND) требует более высокого уровня технологий проектирования, чтобы разместить одну над другой матрицы элементов, по сравнению с ранее выпущенными 24-слойными модулями V-NAND, однако при этом она обеспечивает намного более высокую производительность, так как компания Samsung, в принципе, может использовать то же самое оборудование, которое использовалось для производства первого поколения памяти V-NAND.
NAND memory, in turn, is divided into 3D NAND and 3D V-NAND.
Память NAND, в свою очередь, разделяется на 3D NAND и 3D V-NAND.