-
English
-
Russian
-
English
-
Russian
Полупроводник
Translation полупроводник into english
полупроводник
Noun
Полупроводник используется в производстве микрочипов.
The semiconductor is used in the production of microchips.
Definitions
полупроводник
Noun
Материал, проводимость которого находится между проводниками и диэлектриками, и который может изменять свои электрические свойства под воздействием различных факторов, таких как температура, освещение или примеси.
Кремний является одним из наиболее распространенных полупроводников, используемых в производстве микрочипов.
Idioms and phrases
свойства полупроводника
Изучение свойств полупроводника важно для разработки новых технологий.
properties of the semiconductor
Studying the properties of the semiconductor is important for developing new technologies.
структура полупроводника
Структура полупроводника определяет его электрические характеристики.
structure of the semiconductor
The structure of the semiconductor determines its electrical characteristics.
применение полупроводника
Применение полупроводника в электронике значительно выросло.
application of the semiconductor
The application of the semiconductor in electronics has significantly increased.
производство полупроводника
Производство полупроводника требует высокой точности и чистоты материалов.
production of the semiconductor
The production of the semiconductor requires high precision and purity of materials.
исследование полупроводника
Исследование полупроводника открывает новые возможности для науки.
research of the semiconductor
Research of the semiconductor opens new opportunities for science.
Examples
С помощью методов компьютерного моделирования планируется провести оценку возможности создания на основе графена и новых представителей графеноподобных 2D материалов вертикальных гетероструктур типа металл-диэлектрик, металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, полупроводник-диэлектрик-полупроводник, а также полупроводниковых гетероструктур и изучить перспективы использования полученных гетероструктур для создания электронной компонентной базы устройств нано- и оптоэлектроники.
Using computer simulation methods, it is planned to assess the possibility of creating vertical heterostructures such as metal-dielectric, metal-semiconductor, metal-dielectric-semiconductor, semiconductor-dielectric-semiconductor, and semiconductor heterostructures based on graphene and new representatives of graphene-like 2D materials and to study the prospects for using obtained heterostructures to create an electronic component base of nano-and optoelectronics devices.
Не менее значимые результаты получены в институте и при решении проблем не только химической чистоты и совершенства поверхности полупроводников, но также границ раздела «полупроводник-диэлектрик» и «полупроводник-полупроводник».
The results obtained at the Institute in solving problems not only of chemical purity and perfection of the semiconductor surface but also of semiconductor-dielectric and semiconductor-semiconductor interfaces are equally important.
Процессор (700) может быть частью одной или более подложек и/или может быть реализован на одной или более подложках с использованием любой из ряда технологий обработки, таких как, например, BiCMOS (Биполярная комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник"), CMOS (комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник") или NMOS (n-канальная структура "металл - оксид - полупроводник").
The processor (700) may be part of one or more substrates and / or may be implemented on one or more substrates using any of a number of processing technologies, such as, for example, BiCMOS (Bipolar complementary metal-oxide-semiconductor structure), CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor structure) or NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor structure).
Процессор (500) может быть частью одной или более подложек и/или может быть реализован на одной или более подложках с использованием любой из множества технологий обработки, таких как, например, BiCMOS (Биполярная комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник"), CMOS (комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник") или NMOS (n-канальная структура "металл - оксид - полупроводник").
The processor (700) may be part of one or more substrates and / or may be implemented on one or more substrates using any of a number of processing technologies, such as, for example, BiCMOS (Bipolar complementary metal-oxide-semiconductor structure), CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor structure) or NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor structure).
Процессор (1000) может являться частью одной или более подложек и/или может быть реализован на одной или более подложках с использованием любого из ряда технологических процессов, таких как, например, BiCMOS (биполярная комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник"), CMOS (комплементарная структура "металл - оксид - полупроводник") или NMOS (n - канальная структура "металл - оксид - полупроводник").
The processor (700) may be part of one or more substrates and / or may be implemented on one or more substrates using any of a number of processing technologies, such as, for example, BiCMOS (Bipolar complementary metal-oxide-semiconductor structure), CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor structure) or NMOS (n-channel metal-oxide-semiconductor structure).